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日本和法国科学家使用倏逝波提高LED的亮度www.918.com

作者:www.918.com时间:2017-12-18 00:15浏览:

  日本和法国科学家使用倏逝波提高LED的亮度日本及法国研讨人员最近证明,在LED中运用V字型脊状结构来替代平板晶圆,日本加贺推出寿数长达10万小时的LE,可以使光提取功率提高20倍,该研讨小组们现已制造出第一个凭借耦合倏逝波(evanescent wave)来提高LED的光提取功率的半导结构。

  倏逝波通常是在全内反射(total internal reflection)的进程中发生,这种波一脱离反射界面就会敏捷衰减。全内反射是约束光电器材发光功率的主因,LED制造商为了添加产品全体的发光效能,正不断设法提高提取功率并消除全内反射。最近日本工业技能总合研讨所(AIST)的Xue-Lun Wang等人运用倏逝波在脊状结构处发生建设性耦合,ED的亮度www.918.com从具有脊状结构的砷化镓量子井中提取出至少50%的发光率。

  


倏逝波耦合(Evanescent wave coupling)

  Wang等人以MOCVD在外表现已刻蚀出脊形的基板上制造所要的结构,并丈量样品的光致发光,成果得到约50%的提取光功率,这约是传统平板结构的20倍。该小组在巴黎纳米研讨所的支持下,透过物理进程的模仿承认倏逝波在扮演着重要的人物。当脊状的脊背含有一宽度为0.5μm的渠道时,日本和法国科学家使用倏逝波提高L光提取率到达最大,并跟着渠道宽度添加而敏捷削减。

  Wang表明,AIST正在运用此机制制造电激发式LED,而且信任他们是第一个将倏逝波运用于此的团队。英国Glasgow大学Faiz Rahman现在正致力于运用纳米压印法提高LED的光提取率,他表明AIST运用的机制相似声波原理,供给了一种吸引人的办法来提高了LED亮度。

  


Ridged epitaxial structure

  Rahman指出AIST基板结构的制造办法与其它LED研讨团队直接在外延结构上界说图画的办法天壤之别,而制造沟槽基板(grooved susbtrate)的难易程度将决议这项技能未来的开展。www.918.com,详见Applied Physics Letters 94, p.091102 (2009)。

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